IR 推出采用新型 WideLead 封裝的車用 MOSFET 系列,可減少 50% 引線電阻,同時提高 30% 電流
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封裝的車用 MOSFET 系列,與傳統的 TO-262封裝相比,可減少 50% 引線電阻,并提高 30% 電流。
這款新型車用 MOSFET 系列適合需要低導通電阻 (Rds(on)) 的通用大負荷/高功率通孔應用,內燃機 (ICE) 汽車電動助力轉向系統和電池開關,以及各類微型和全混合動力汽車。新器件采用 IR 先進的硅和封裝技術,在顯著提高性能的同時可與現有的設計標準相匹配。
在標準 TO-262 通孔封裝中,除了 MOSFET 導通電阻,源極和漏極引線電阻可增至1mΩ。新 WideLead TO-262 通孔封裝可將引線電阻降至不到 0.5 mΩ,大大減少了引線中的傳導損耗和熱量,在特定的工作溫度下,比傳統的 TO-262 封裝的電流承載能力高30%。根據評估,在直流電為 40A 和 60A 的條件下,WideLead 引線溫度比標準 TO-262分別低 30% 和 39%。此外,隨著其它封裝技術的提高,WideLead 比標準 TO-262 封裝中的同等 MOSFET 少傳輸 20% 導通電阻。
IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“新型 WideLead TO-262 封裝的設計靈感來自于DirectFET® 封裝超低芯片自由阻抗的出色性能,以及傳統 TO-262 封裝的各種局限性。IR 新型 WideLead 封裝中的 MOSFET 新系列在傳輸高電流的同時,大大降低了引線中的傳導損耗和自身熱量,從而為汽車應用提供了一個堅固可靠的解決方案。”
所有 IR 車用 MOSFET 產品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質量理念,并經過了動態和靜態器件平均測試及 100% 自動晶圓級目視檢查。
新器件符合 AEC-Q101 標準,是在IR要求零缺陷的汽車質量理念下研制而成的。它環保、無鉛,也符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。
產品規格
|
器件編號 |
封裝 |
V(BR)DSS (V) |
10VGS時的 較大導通電阻 (mΩ) |
TC 為 25°C時的ID 較大值 (A) |
10VGS 時的 QG 典型值(nC) |
|
AUIRF1324WL |
TO-262WL |
24 |
1.3 |
240 |
120 |
|
AUIRF3004WL |
TO-262WL |
40 |
1.4 |
240 |
160 |
有關產品現已接受批量訂單。相關產品資料、應用說明和認證標準請訪問 IR 網站 www.irf.com 。現有 Spice 模型供申請。
專利和商標
IR® 是國際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊商標。文中所提及其它產品名稱均為對應持有人所有的商標。
- 完 -
IR簡介
國際整流器公司 (簡稱 IR,紐約證交所代號 IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗 (電機是全球較大耗能設備) ,是眾多國際知名廠商開發下一代計算機、節能電器、照明設備、汽車、衛星系統、宇航及國防系統的電源管理基準。
IR 成立于 1947 年,總部設在美國洛杉磯,在二十個國家設有辦事處。IR 全球網站:www.irf.com,中國網站:www.irf.com.cn。
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