LED 領域的市場領先者科銳公司（Nasdaq: CREE）日前宣布推出其較新低基面位錯（LBPD）100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯材料的外延漂移層的總基面位錯密度小于1 cm^-2，引起V_f偏移的基面位錯容量小于0.1 cm^-2。這一新型低基面位錯材料的推出進一步體現了科銳長期以來對碳化硅材料技術的不斷投入和創新。

科銳功率器件與射頻（RF）首席技術官 John Palmour 表示：“碳化硅雙極型（Bipolar）器件的發展長期以來受制于基面位錯引起的正向電壓衰減。該款低基面位錯材料能夠用于諸如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和可關斷晶閘管（GTO）等高壓雙極型器件，并且增加這些器件的穩定性。這一較新成果有助于消除遲滯高功率器件商業化的阻礙�！�

碳化硅是一種高性能的半導體材料，被廣泛地應用在照明、功率器件和通訊器件產品的生產中，包括發光二級管（LED）、功率轉換器件以及無線通訊用射頻功率晶體管等。

低基面位錯外延片現已可開始訂購，如欲了解更多關于應用及產品詳情，敬請 Materials_Sales@cree.com。

關于科銳（CREE）

科銳成立于1987年，是美國上市公司（1993年，納斯達克：CREE），為全球LED外延、芯片、封裝、LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業領先者�？其JLED 照明產品的優勢體現在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等方面獨一無二的材料技術與先進的白光技術，擁有1,300多項美國專利、2,900多項國際專利和近390項中國專利（以上包括已授權和在審專利），使得科銳LED產品始終處于世界領先水平�？其J照明級大功率LED，具有光效高、色點穩、壽命長等優點�？其J在向客戶提供高質量、高可靠發光器件產品的同時也向客戶提供成套的LED照明解決方案。科銳碳化硅金屬氧化物半導體場效應管開關器件（MOSFET Switch）的導通電阻小、溫度系數穩、漏電流低、開關時間短，以及科銳碳化硅肖特基功率二極管（Schottky Power Diode）零反向恢復電流等特性，使得科銳碳化硅功率器件特別適用于高頻、高效、高功率密度、高可靠性需求的電力電子系統。