東芝擴(kuò)充低壓N通道MOSFET陣容
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低導(dǎo)通電阻可減少移動設(shè)備的傳導(dǎo)損失
東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO: 6502）今天宣布通過“TPN2R203NC”擴(kuò)充移動設(shè)備鋰離子電池和功率管理開關(guān)專用保護(hù)電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻，可減少設(shè)備的傳導(dǎo)損失。
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主要特性 |
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1. |
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采用第八代工藝打造，實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻。 |
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2. |
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采用TSON Advance封裝，具有很好的導(dǎo)熱性。 |
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3. |
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高雪崩電阻。 |
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主要規(guī)格 |
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產(chǎn)品型號 |
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封裝 |
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VDSS （V） |
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RDS（ON） （mΩ） |
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VGS=10V |
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VGS=4.5V |
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標(biāo)準(zhǔn)值 |
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較大值 |
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標(biāo)準(zhǔn)值 |
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較大值 |
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TPN2R203NC |
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TSON Advance |
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30 |
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1.8 |
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2.2 |
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2.8 |
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3.6 |
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通過以下鏈接了解該產(chǎn)品更多信息：
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1324089_37649.html
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