東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)今天宣布，該公司將拆除四日市業務部(Yokkaichi Operations)生產基地的2號半導體生產廠(Fab 2)，并在同一地點新建晶圓廠。Fab 2是該公司位于日本三重縣的NAND閃存制造廠。為共同投資新廠房，東芝還與閃迪公司(SanDisk, NASDAQ: SNDK)簽署了一份不具約束力的諒解備忘錄。新建晶圓廠的主要目的旨在提供生產空間，以便將現有的東芝和閃迪2D NAND產能從2016年開始向3D NAND進行轉化。

現有Fab 2的拆除工作將于今年5月啟動，而新廠將于2014年9月開始施工，并預計于2015年夏季竣工。新晶圓廠內的無塵室將分階段進行建設，以便與2D NAND產能向3D NAND轉化的時間安排相吻合。第一階段無塵室建設將按時完成，以配合2016年產出。產能轉化加速和設備投資、生產啟動，以及新晶圓廠的產量水平方面的決策將根據市場趨勢作出。 

新晶圓廠將提供工藝配套設施，主要用于3D NAND存儲器的生產，并將與四日市的其他設施密切配合使用。東芝和閃迪將通過合資企業，利用其較先進的光刻、沉積和蝕刻制造設備支持3D存儲器生產。

東芝公司企業高級副總裁、半導體&存儲產品公司總裁兼首席執行官Yasuo Naruke表示：“我們決心開發先進的技術彰顯出我們響應對NAND閃存持續需求的承諾。我們相信，東芝與閃迪在四日市成立的合資企業將使我們能夠生產具有成本競爭力的下一代存儲器產品。”

閃迪公司總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra表示：“我們很高興能夠與東芝在這一新的晶圓廠繼續我們的長期合作，這將推動我們在存儲器技術方面的領導地位跨入3D NAND領域。” 

該新晶圓廠將采用減震結構和環保設計，包括整棟建筑的LED照明。它還將配備較先進的節能生產設備，從而確保提高生產力，同時降低功耗。高效利用廢熱將有助于降低燃料消耗和減少二氧化碳排放量，相比Fab 5可減少15％。而Fab 5是目前四日市生產基地中較先進的晶圓廠。

在向3D NAND過渡期間，東芝和閃迪將通過合資企業，充分利用四日市生產基地資源，以較大化投資效率。展望未來，兩家公司將繼續共同開發先進的工藝技術，并進行投資以滿足市場需求。

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