賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 5 月18日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，針對高功率混合裝配、SiC和GaN應用中的使用環境，推出新的薄膜條MOS電容器。Vishay Dale Resistors Electro-Films BRCP可處理高功率，工作電壓高達100V，有120mil x 35mil(外形A)和240mil x 35 mil(外形B)兩種小外形尺寸，能夠在不犧牲性能的情況下，實現更小的產品設計。

今天推出的這些器件具有高工作電壓和5pF～100pF的電容，以及魯棒的MOS結構，適用于LC、RC或LRC濾波，RF扼流，以及直流隔離和阻抗匹配。對于這些應用，BRCP可以采用多引線鍵合，較小容值的外形A、外形B的電容器分別有7個鍵合和15個鍵合。

條形電容器的TCC低至±50ppm/℃，絕對公差只有±5%。器件具有優異的負載壽命穩定率，可以在-55℃～+150℃溫度范圍內工作。

BRCP條形MOS電容器現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十周。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的較大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、國防、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。