在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2015上，三菱電機今年以“創新功率器件構建可持續未來”為題，攜帶九款全新功率器件隆重亮相。展會期間，三菱電機的高層人員與媒體暢談了當前的功率器件市場情況、三菱電機的新產品、中國市場策略及發展大計。為使媒體對三菱電機的產品有更深入的了解，特別安排了記者參觀展位的活動，三菱電機的工程師向大家介紹了三菱電機的產品。

第七代IGBT性能更高

三菱電機董事及技術總監Gourab Majumdar博士指出，三菱電機這次特別推介第七代IGBT模塊，分為NX及STD兩種封裝，采用第七代芯片及全新的結構，提高產品性能和壽命，在底部預涂網格狀的PC-TIM（相變熱界面材料），涂層均勻更易控制熱阻，從而增強散熱效果，提升應用可靠性。

他續稱，第七代IGBT模塊的晶元厚度更薄，柵極與柵極間的間距更小，可實現更高的IGBT電流，并減小導通損耗、開關損耗、噪聲及對周邊器件的影響，以降低客戶的綜合成本。目前已經量產的產品，已包括了工業、新能源、電動車及家電等方面，現時正在研究如何將其應用在電力汽車牽引方面。

對于家電采用的DIPIPMTM產品，已經成為市場標準，Majumdar博士歸功于研發過程中不斷與客戶交流，制定正確的開發方向，以及掌握產品上市先機�；仡欉^去20年來，他表示三菱電機做了七、八代產品，順應了白色家電對低成本和小型化的要求。至于較新的SLIMDIP模塊，它堪稱是劃時代產品，采用了逆導型芯片，將原先的12塊芯片減少到6片，其體積縮小了31%。

新技術效果開始顯現

在新材料方面，Majumdar博士指出，三菱電機從1994年開始研究碳化硅，近年已經量產了數款碳化硅功率模塊產品。他表示，三菱電機已經上市的碳化硅產品的電流等級從20安到1200安均有，分完全碳化硅型及混合碳化硅型，涵蓋高鐵到家電應用，其中多款產品屬于全球首發，特別適合在高載頻環境中使用，如電源、太陽能和機車；以及高壓、高性能、高可靠性的地方使用，如日本新干線地鐵車組。

為了推廣碳化硅的應用，Majumdar博士稱，三菱電機將會把卓越的功能集成在碳化硅模塊中，發揮其特性極限，并通過同時改善生產工藝和實現產品小型化來降低成本。

節能環保仍是重點

三菱電機大中國區半導體市場總監錢宇峰先生表示，該公司對中國鐵路牽引市場發展持樂觀態度，除了國家每年超過人民幣8,000億的投入外，今年6月成立的中國中鐵，更將軌道交通延伸海外，現已踏足28個國家，洽談超過60個項目。在純電動汽車方面，錢先生認為中國政府已開始加速發展汽車續航充電站，帶動純電動車銷量。三菱電機的目標市場份額是30%，按去年電動汽車銷售8萬臺計算，今年會翻倍至16萬臺，至2017年累計可達50萬臺，繼而在2020年累計達200萬臺。隨著政府持續支持太陽能及風電發展，錢先生認為大量新能源將要從偏遠地區輸送至沿海地區，因而產生對特高壓直流輸電項目以及可移動STATCOM項目的需求。同時，在政府推動家居環保下，國內變頻空調的變頻率已經接近50%，而變頻洗衣機及變頻冰箱分別只有15%及10%的變頻率，未來增長潛力甚大。雖然太陽能市場的整體回收成本時間較長，錢先生表示，三菱電機期望在中國市場，特別是對于三電平結構的市場占有一席之地。

三菱電機大中國區半導體總經理四個所大亮先生表示，三菱電機承持可持續發展信念，不斷研發高性能、高可靠性及小型化的功率器件，來滿足電力電子市場的需要。對于功率器件市場的前景，三菱電機抱持十分樂觀的態度，隨著中國政府加大力度治理環境，必將給新能源利用產業帶來更大的發展空間。

功率器件五大應用領域

在現場，工程師介紹了今年展出的功率器件，應用范圍跨越五大領域，包括：工業傳動、光伏發電、變頻家電、軌道牽引及電動汽車，致力為客戶提供高性能及低損耗的產品。

針對工業光伏逆變器市場的需要，三菱電機將展出四款新型功率模塊，包括第7代IGBT模塊、DIPIPM+模塊、4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊及1in1三電平逆變器用IGBT模塊。

這次展出的第7代IGBT模塊，特別適用于通用變頻器。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片；具有650V、1200V和1700V三種電壓等級；提高利用門極電阻優化dv/dt的可控性；涵蓋模塊電流100A至1000A；采用預涂熱界面材料(TIM)，與傳統硅脂相比，模塊與散熱器的接觸熱阻降低50%。它繼承現有的統一封裝(NX)和傳統封裝(A/NF/MPD)，適應不同的結構設計需求；NX封裝具有焊接方式和壓接方式兩種控制端子。

整流逆變制動一體化模塊DIPIPM+則完整地集成整流橋、逆變橋、制動單元以及相應的驅動保護電路。 它采用第7代CSTBTTM硅片；提供短路保護和欠壓保護；內置自舉二極管； 提供LVIC溫度模擬量輸出功能；額定電流覆蓋50A/600V和5~35A/1200V。采用該款模塊設計通用變頻器，可以較大程度地簡化布線設計，縮小基板面積，縮短開發周期；同時還可以降低布線電感及濾波器成本，使噪聲設計變得簡單。

4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊, 是專門為提高光伏發電效率而開發的400A模塊， 半橋采用第6.1代1200V IGBT硅片，交流開關采用第7代650V IGBT硅片，損耗低、允許結溫高達175℃；內部雜散電感小，正負端子之間為32nH、正零端子之間為和零負端子之間均27nH；絕緣耐壓高達4000Vrms/1min；更采用了易于并聯的封裝結構。

在1in1三電平逆變器用IGBT模塊中，1200V級和1700V級均采用第6代IGBT硅片，實現更低損耗，方便客戶根據不同需要構建I型或者T型三電平拓撲；模塊內部雜散電感小，一單元模塊為8nH，兩單元模塊為12nH。絕緣耐壓高達4000Vrms/1min，結溫較高可達175℃。

對于變頻家電應用，三菱電機這次特別推介兩款產品，分別為SJMOS DIPIPMTM模塊與專為變頻冰箱及變頻風機設計的SLIMDIP模塊。

SJMOS DIPIPMTM模塊采用IGBT和SJMOS并聯技術，達至同時優化小電流段和大電流段的損耗，封裝和功能完美，兼容第6代超小型DIPIPM模塊。SLIMDIP則采用第3代RC-IGBT技術，集成短路保護和欠壓保護，內置自舉二極管（和限流電阻），同時提供LVIC溫度模擬量輸出版本和過溫保護版本，封裝面積比超小型DIPIPMTM縮小達30%。

在PCIM 2015亞洲展上，三菱電機為軌道牽引領域帶來兩款新的功率模塊，分別為X系列HVIGBT模塊及下一代兩單元HVIGBT模塊，可應用于牽引變流器及直流輸電變流子模塊；而J1系列車用IGBT模塊則適用于電動汽車驅動器。X系列是較新一代HVIGBT模塊，進一步提升了3.3kV/4.5kV/6.5kV等級的額定電流；使用了第7代IGBT和RFC Diode硅片技術，實現更低飽和壓降和開關損耗。它同時采用LNFLR技術，實現低熱阻；并有更寬的安全工作區。針對電力傳輸應用而開發的6500V/1000A單管HVIGBT模塊已率先發布。

至于下一代兩單元HVIGBT模塊，將提供三個電壓等級3.3kV/450A、4.5kV/400A及6.5kV/275A，均采用全新封裝，實現更低的雜散電感及更易于并聯，其絕緣耐壓達10.4kVrms/1min。

J1系列車用IGBT模塊專為電動汽車驅動器設計，是采用Pin-fin底板的六合一IGBT模塊。它采用第7代IGBT硅片技術及高可靠性的DLB(直接主端子綁定)技術，以及基于硅片的溫度和電流檢測技術；與傳統的結構相比，熱阻降低40%，安裝面積減小40%。三菱電機將提供包括驅動電路、冷卻水套及薄膜電容的整體解決方案技術支持，以方便客戶快速應用該模塊實現車用逆變器的設計。

www.MitsubishiElectric-mesh.com