日前，Crossbar在京舉辦新聞發布會，宣布正式進軍中國市場，并在上海設立新的辦事處。公司首席執行官暨聯合創始人George Minassian博士、戰略營銷和業務發展副總裁 Sylvain Dubois和技術副總裁Sundar Narayanan博士出席發布會，與媒體共同見證了Crossbar這一時刻，并介紹了Crossbar及其RRAM技術，展望了存儲市場的美好前景。

George Minassian博士首先介紹了存儲市場的情況，中國在全球IC半導體制造業占約40%的份額，中國每年消費29%的NAND（66.7億美元），22%的DRAM（12億美元）和約200億美元的內存（NAND+DRAM）。而Crossbar的目標市場規模約為600億美元，服務于全球600億美元及中國200億美元內存市場。

他認為，隨著數據爆炸式增長，企業及客戶端的存儲需求日益增加。傳統基于電子的存儲面臨各種挑戰。600億美元市場有眾多商機。

他表示，中國是電子行業發展較快的市場，也是絕大多數產品的制造基地。憑借其在中國深厚的風投實力和資源、新成立的本地辦事處以及行業領先的技術，他相信將在中國消費電子、企業、移動、工業和物聯網等市場掀起新一輪電子創新浪潮。此外，Crossbar近期與中芯國際已達成合作，將其嵌入式技術用于中芯國際40nm甚至更高工藝，有望使新的應用開發受益。

Minassian博士還說：“物聯網和可穿戴設備市場需要節能、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技術能提供片上編程和數據存儲的嵌入式內存模塊，也可單獨作為EEPROM內存，將是滿足這些需求的理想解決方案。”

開啟可穿戴和智能設備新紀元

據George Minassian博士介紹，Crossbar的3D交叉點陣結構是一種全新的方式，沒有存儲晶體管內建選擇器，簡單的3層金屬納米絲，具有儲存時間、耐久性和可靠性的優勢。首先是高集成度，在單一芯片上集成計算和存儲，從40nmCMOS制造工藝做起；其次是使用壽命，與外設NVM相比，功耗低50倍；第三是用戶界面響應，可快速喚醒、應用轉換和媒體文件預覽。它在單一芯片上實現了高集成度的計算和存儲，促生新一代產品規格和使用模式。對于企業存儲來說，3D交叉點陣結構超快速，比NAND低100倍的讀取延滯；低延滯，比NAND的功耗低20倍；高密度，可擴展至低于10nm 3D可堆疊和MLC，比NAND的成本低2倍；高可靠性，高1,000倍的耐久性，10年使用壽命，支持高溫環境（150℃）。

通過集成更大的片上非易失性阻變式存儲器（RRAM）到智能卡、機頂盒、IP相機和監視器等一系列應用，Crossbar的客戶現正設計并推出低功耗、高安全性的解決方案。

應用領域十分廣泛

據介紹，Crossbar技術首先由中國出生的盧偉（Dr. Wei D. Lu）博士研發，他也是Crossbar的首席科學家和聯合創始人。盧博士擁有中國清華大學物理學士學位，以及德克薩斯州萊斯大學物理學博士學位。盧博士在RRAM領域積累了十二年的研究經驗，他先作為哈佛大學的博士后研究員，然后被任命為密歇根大學教授從事這項研究。他是納米結構和設備行業的領先專家，包括基于雙端電阻開關設備的高密度內存和邏輯系統、神經元電路、半導體納米線設備和低維系統中的電子輸運。

CrossbarRRAM技術被廣泛視為極有可能取代當前非易失性內存技術的有力競爭者，從而贏得這一價值600億美元的全球市場。Crossbar技術可在一個200平方毫米的芯片上存儲數個TB的數據，能夠將海量信息，例如250小時的高清電影，存儲在比郵票還小的集成電路上，并進行回放。憑借簡單的三層結構，堆疊性和CMOS兼容性，Crossbar能在較新的技術節點下將邏輯和存儲集成到單芯片上，實現傳統或其他非易失性內存技術無可比擬的存儲容量。Crossbar擁有大容量和快速的優勢，并將成為下一代企業和數據中心存儲系統的理想選擇。

Crossbar技術的應用領域包括：消費電子、手機、平板電腦—將你所有個人娛樂、數據、照片和信息存儲到口袋大小的設備中，提供快速存儲，回放，備份和歸檔；企業存儲、SSD和云計算—拓展SSD的可靠性和容量，提升企業、數據中心和云存儲系統的性能；物聯網、工業互聯網—為工業和連接應用程序，諸如智能電表和恒溫器提供長達數年的電池壽命，擁有較大溫度范圍，使其能在極端炎熱的夏天和寒冷的冬天保持穩定，支持全新、高集成的SoC，可由紐扣電池供電或通過太陽能、熱能以及簡單震動獲取電能；可穿戴計算，支持新一代可穿戴計算，能在非常緊湊的尺寸和低功耗情況下，實現高容量存儲；安全支付，能夠永久存儲安全應用所需的密碼和加密密鑰，覆蓋從大容量智能卡，到用于非接觸支付的高端移動處理器。

此前，中芯國際已與Crossbar達成開發與制造戰略合作協議，基于中芯國際40納米CMOS制造工藝，提供阻變式存儲器組件。這將有助于客戶將低延時、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲器組件整合入MCU及SoC等器件，以應對物聯網、可穿戴設備、平板電腦、消費電子、工業及汽車電子市場需求。

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