英飛凌工業功率控制事業部總裁Helmut Gassel博士指出：“20多年來，英飛凌一直走在開發SiC解決方案的較前列，致力于滿足用戶對節能、縮減尺寸、系統集成和提高可靠性的需求。英飛凌制造出數百萬件含有SiC器件的產品，而我們的肖特基二極管和J-FET技術使設計人員能夠實現利用傳統芯片不可能達到的功率密度和性能。該解決方案現在朝前邁出了一大步，將功率MOSFET涵蓋在內，這使得從SiC技術獲得的益處將被提升到前所未有的新水平。”

SiC MOSFET帶來的影響非常顯著。電源轉換方案的開關頻率可達到目前所用開關頻率的三倍或以上。這能帶來諸多益處，如減少磁性元件和系統外殼所用的銅和鋁兩種材料的用量，便于打造更小、更輕的系統，從而減少運輸工作量，并且更便于安裝。新解決方案有助于節能的特點由電源轉換設計人員來實現。這些應用的性能、效率和系統靈活性也將提升至全面層面。

全新1200 V SiC MOSFET經過優化，兼具可靠性與性能優勢。它們在動態損耗方面樹立了新標桿，相比1200 V硅（Si）IGBT低了一個數量級。這在較初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲能系統等應用的系統改進，此后可將其范圍擴大到工業變頻器。

該MOSFET完全兼容通常用于驅動IGBT的+15 V/-5 V電壓。它們將4 V基準閾值額定電壓（Vth）與目標應用要求的短路魯棒性和完全可控的dv/dt特性結合起來。與Si IGBT相比的關鍵優勢包括：獨立于溫度的開關損耗和無閾值電壓的靜態特性。

全新MOSFET融匯了多年SiC半導體開發經驗，基于先進的溝槽半導體工藝，代表著英飛凌CoolSiC 產品家族的較新發展。該產品系列包括肖特基二極管和1200 V J-FET器件以及在一個模塊中集成Si IGBT和SiC二極管的一系列混合解決方案。

首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的導通電阻（RDS(ON)）額定值為45 mΩ。它們將采用3引腳和4引腳TO-247封裝，針對光伏逆變器、UPS、電池充電和儲能應用。由于集成了反向恢復損耗接近零的耐用型體二極管，所以這兩種型號的器件都可供用于同步整流方案。4引腳封裝有一個額外的源極連接端子（Kelvin），作為門極驅動電壓的參考電位。通過消除由于源極電感引起的壓降的影響，這可以進一步降低開關損耗，特別是在更高開關頻率時。 

另外，英飛凌還宣布推出基于SiC MOSFET技術的1200 V‘Easy1B’半橋和升壓模塊。這些模塊采用PressFIT連接，有良好的熱界面、低雜散電感和堅固的設計，每種封裝的模塊均有11 mΩ和23 mΩ的RDS(ON)額定值選項。

供貨情況

英飛凌將于2016年下半年開始生產面向目標應用的樣品，計劃2017年量產。更多信息請訪問：www.infineon.com/coolSiC。

英飛凌亮相PCIM 2016

在PCIM 2016（2016年紐倫堡電力電子系統及元器件展）展會上，英飛凌將在9號館412號展位（德國紐倫堡，2016年5月10日-12日）展示實現工業、消費和汽車應用領域高效系統的前沿技術。更多關于英飛凌PCIM展會亮點的信息，請訪問www.infineon.com/pcim。

關于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球領先的半導體科技公司，我們讓人們的生活更加便利、安全和環保。英飛凌的微電子產品和解決方案將帶您通往美好的未來。2015 財年（截止 9 月 30 日），公司的銷售額達 58億歐元，在全球范圍內擁有約 35,400 名員工。英飛凌在法蘭克福證券交易所（股票代碼：IFX）和美國柜臺交易市場 OTCQX International Premier（股票代碼：IFNNY）掛牌上市。

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英飛凌在中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業以來，英飛凌的業務取得非常迅速的增長，在中國擁有約2000名員工，已經成為英飛凌亞太乃至全球業務發展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發、生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業鏈，并在銷售、技術研發、人才培養等方面與國內領先的企業、高等院校開展了深入的合作。