行業(yè)標準的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(yīng)(400千瓦時)的3%，占溫室氣體排放總量的2%。航空業(yè)的碳排放量也一樣。隨著對能源的巨大需求，各國政府正在采取更嚴格的標準和新的監(jiān)管措施，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品都需具有較高能效。

　　同時，我們看到對更高功率密度和更小空間的要求。電動汽車正盡量減輕重量和提高能效，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實現(xiàn)這一目標。

　　碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使電子開始在材料中自由移動。因而具有比硅更佳的特性和性能。

　　一個主要優(yōu)勢是大大減少開關(guān)損耗。首先，這意味著器件運行更不易發(fā)熱。這有益于整個系統(tǒng)，因為可減少散熱器的大小(和成本)。其次是提高開關(guān)速度。設(shè)計人員現(xiàn)可遠遠超越硅MOSFET或IGBT的物理極限。這使得系統(tǒng)可減少無源器件，如變壓器、電感和電容器。因此，WBG方案可提高系統(tǒng)能效，減小體積和器件成本，同時提高功率密度。

　　碳化硅二極管廣泛用于能效至關(guān)重要的各種PFC拓撲結(jié)構(gòu)。而且更易于處理電磁干擾(EMI)，因其極快的反向恢復(fù)速度。安森美半導(dǎo)體擁有完整的650 V和1200 V SiC二極管產(chǎn)品陣容，涵蓋單相和多相應(yīng)用的所有功率范圍。同時，我們將于2018年晚些時候推出的1200 V MOSFET，將提供較高的性能及極佳的強固性和高可靠性。安森美半導(dǎo)體提供一種專利的終端結(jié)構(gòu)，確保同類較佳的強固性和不會因濕度影響導(dǎo)致相關(guān)的故障。

　　GaN現(xiàn)在越來越為市場所接受。這有過幾次技術(shù)迭代，從“D-Mode”到Cascode，和現(xiàn)在較終的“E-Mode”(常關(guān)型)器件。GaN是一種超快的器件，需要重點關(guān)注PCB布板和優(yōu)化門極驅(qū)動。我們現(xiàn)在看到設(shè)計人員了解如何使用GaN，并看到與硅相比的巨大優(yōu)勢。我們正與領(lǐng)先的工業(yè)和汽車伙伴合作，為下一代系統(tǒng)如服務(wù)器電源、旅行適配器和車載充電器提供較高的功率密度和能效。由于GaN是非常新的技術(shù)，安森美半導(dǎo)體將確保額外的篩檢技術(shù)和針對GaN的測試，以提供市場上較高質(zhì)量的產(chǎn)品。