日前，東芝半導體參加了在上海世博展覽館舉辦的上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIM Asia 2015），以其“Human Smart Community by lifenology - the technology life requires （智社會，人為本，以科技應人類之求）”的企業理念，展示多款電力領域節能環保的功能器件與專利技術，展出產品包括IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）專利產品、MOSFET、光耦產品以及IPD + MCU電機驅動方案等。

在中國市場將扮演更重要角色

在接受記者采訪時，東芝半導體事業部技術參事田所雄一（左）表示，隨著能源危機制約著現代社會的發展，開發和利用可再生能源是人類立早自身解決能源問題的重要舉措之一。東芝作為能源領域引領者，自1875年創始之際堅信使命，秉持“Human Smart Community（智社會人為本）”企業理念：以創新的科技服務于社會，并為創造一個舒適美好的人類生活環境而不懈努力。目前，“能源”（包含能源生成及再利用、輸配電等）已成為了東芝三大支柱產業之一，以期面對全球化亟待解決的復雜課題。他強調，半導體，尤其是功率半導體技術是建立智能社區的基礎，與人們生活的方方面面密切相關。特別是中國政府較近推出了“中國制造2025”，其中大部分都與東芝的產品和解決方案不謀而合，東芝在未來的中國市場將扮演更重要的角色。

2015年，東芝公司即將迎來創建140周年紀念，在“智社會人為本”的全新企業理念指引下，東芝將繼續以領先的技術、產品和高品質服務，推動節能環保與可持續發展事業，為人類打造安心、安全、舒適的智能社會，持續為推動社會進步做出貢獻。

新技術助推功率提升

東芝電子（中國）有限公司分立器件戰略業務企劃統括部總監多田升介紹了本次PCIM Asia展覽上的主要展品。其中的重點是作為東芝半導體專利產品的IEGT。他表示，近年來，由于環境、能源、社會和高效化的要求，電力電子設備和系統正朝著應用技術高頻化、智能化、全數字控制、系統化及綠色化方向發展。特別是在特大功率領域，東芝在IGBT的基礎上成功研發出“注入增強結構（IE：Injection Enhanced）”，用于高電壓大電流級別的IGBT使其性能礙到大幅提升，實現了低通態電壓，有效地實現了大功率變頻器的節能，且其優勢隨著電力市場項目功率等級和電壓等級的不斷提高，逐步得到了體現和認可。

多田升認為，作為IGBT系列電力電子器件具有良好的發展前景，其具有高耐壓、低損耗、高可靠性、易控制等特點,并采用多芯片并聯均流等技術，使其在進一步及擴大電流容量方面頗具潛力。

據介紹，目前，東芝半導體的IEGT主要應用于柔性高壓直流輸電（HVDC）、海上風電、軌道交通、中高壓變頻器等特大功率電力領域。現在國內市場上已經有以東芝的IEGT作為核心器件成功運行項目。并且，針對不同應用領域的具體需求，東芝半導體有著不同封裝的IEGT產品，適用于高速EMU的3.3kV PMI封裝（塑封模塊）的IEGT、適用于重型EL的4.5kV PMI封裝的IEGT，以及適用于電力機車驅動要求尺寸小、重量輕并節能降耗的3.3kV/1.7kV碳化硅混合模塊封裝IEGT。另外針對大容量，可靠性要求較高的柔性直流輸電，動態無功補償，海上風電等應用有4.5kV/3.3kV PPI封裝（壓接式封裝）的IEGT。

在本次展覽上，東芝半導體面向未來展示了混合型IEGT模塊（碳化硅二極管）以及碳化硅MOS模塊，在新材料技術方面走在了業界前列。

在光耦方面，東芝半導體還展出了應用于IGBT/MOSFET柵極驅動的光耦，其可以保證高達40kV/μs的共模抑制（CMR）。這些光耦非常適合應用于像逆變器和伺服器等在電噪聲環境中的安裝應用。東芝半導體在MOSFET方面已擁有十余年的開發與生產經驗，能夠提供各種封裝的低壓和中/高壓MOSFET產品，并采用較新的工藝技術，從而實現開關電源的高效率。東芝半導體還展出了智能模塊IPD與專用驅動芯片MCD相結合的直流無刷BLDC馬達解決方案——具有良好的系統穩定性和豐富的系統保護功能，并能夠實現零速和順逆風啟動。

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